fetram
Fetram lovar högre prestanda och lägre effektförbrukning än de minneslösningar som används i dagens datorer, hävdar forskare. Bild: Purdue University
Vid Purdue University har forskare kombinerat nanotrådar av kisel med en ferroelektrisk plast som kan växla polaritet när spänning tillförs. Resultatet är en ny typ av ferroelektrisk transistor som utgör grunden i en minnesteknik forskarna kallar fetram.

- Arbetet är i en väldigt tidig fas, men vi har utvecklat teorin, utfört experiment och visat hur tekniken fungerar i en krets, säger doktoranden Saptarshi Das som arbetat med projektet.

Minnet behåller informationen även när spänningen försvinner och enligt forskarna ska fetram-enheter använda 99 procent mindre energi än dagens flashminneskretsar.

Till skillnad från dagens kommerisella feram-enheter är fetram-tekniken ickedestruktiv. Informationen finns därmed kvar även efter att den anropats. Tekniken ska även vara kompatibel med dagens cmos-tillverkningsprocess. Arbetet har publicerats i tidskriften Nano Letters.