Sydkoreanska forskare har tagit fram en ny böjbar minneskrets som inte dras med störningsproblem mellan minnescellerna. Bild: Kaist.

 Böjbara minnen har redan tagits fram på flera håll, men hittills har de dragits med strukturella begränsningar som inneburit störningar mellan minnescellerna när transistorerna kommer för nära varandra. Problemet sägs nu ha lösts av forskare vid Korea Advanced Institute of Science and Technology, under ledning av professor Keon Jae Lee.

Forskarna har presenterat ett fungerande icke-flyktigt resistivt ram-minne, rram, där en minnescell på ett flexibelt plastunderlag kan anropas, skrivas till och raderas utan problem.

Vad som gör det hela möjligt är memristorn, en relativt ny passiv baskomponent med lovande framtid i elektronikvärlden.

Det störningsfria minnet kombinerar nämligen just memristorer med högpresterande kiseltransistorer inuti ett flexibelt underlag. Resultatet är en böjbar minneskrets med full funktionalitet och god livslängd.

Arbetet har publicerats i nätupplagan av tidskriften Nano Letters.