De första hybrid memory cube-kretsarna som staplar minnet på höjden börjar nu masstillverkas av Micron och IBM.

 Staplade minneskretsar på höjden sägs vara framtiden och Microns lovande superminne som gör just detta går nu från prototyp till färdig produkt.

- IBMs avancerade tsv-tillverkningsprocess låter Microns hybrid memory cube nå 15 gånger högre hastigheter än dagens lösningar, påstår IBM i ett uttalande.

Tsv, eller through-silicon via, innebär att invändiga så kallade viahål elektriskt förbinder dram-lagren med den underliggande minneskontrollern.

Överföringshastigheten ligger enligt IBM på 128 gigabyte per sekund, jämfört med 12,8 gigabyte per sekund i dagens vassaste kretsar. ”Kuben” använder dessutom bara en tiondel av den fysiska ytan samt 70 procent mindre energi för dataöverföring.

Hur kylningen ska ske framgår dock inte av informationen.

De första kretsarna som ska användas i bland annat routrar för 100 gigabit ethernet lämnar fabrikerna under senare delen av 2012. Konsumentprodukter får vänta till 2015.