En första integrerad krets med transistorer av molybdenglans är ett viktigt steg för elektronik som kan nå längre än vad kisel klarar. Bild: EPFL.

 Vid École polytechnique fédérale de Lausanne i Schweiz har forskarna nu tagit steget från teori till praktik och byggt den första integrerade kretsen i materialet molybdenglans. Det var tidigare i år som de lyfte fram materialets lovande egenskaper jämfört med kisel och grafen.

Forskarnas prototyp består av två till sex transistorer som kan användas för grundläggande logiska operationer, något som enligt forskarna även kan fungera i mer avancerade lösningar.

Transistorer i molybdenglans ska snabbare kunna växla mellan aktivt läge och viloläge jämfört med de i kisel, vara 100 000 gånger mer energisnåla och byggas minst tre gånger så tunna. Materialet lämpar sig även bra för böjbar elektronik.

Molybdenglans är vanligt förekommande i naturen och är även känt som molybdendisulfid, bland annat som torrt smörjmedel för industriellt bruk.

Arbetet har publicerats i tidskriften ACS Nano.