Elpidas reram-prototyp bäddar för kommersiell volymtillverkning av de snabba minneskretsarna redan 2013. Bilden är ett montage.

 Så kallade reram-minnen, resistive random-access memory, är en ny icke-flyktig minnestyp som med hjälp av memristorer kan behålla information även när spänningen försvinner. Tekniken väntas passa både för långtidslagring och som arbetsminne.

Ett av flera företag som arbetar på reram-lösningar är den japanska minnestillverkaren Elpida Memory som nu färdigställt sin första prototyp. Minnet är byggt med 50 nanometersteknik och kretsarna bjuder på en total kapacitet på 64 megabit.

Skrivhastigheten i reram-minnet sägs vara tio nanosekunder och minnescellerna sägs även kunna skrivas till över en miljon gånger, vilket är cirka tio gånger mer än nand-baserade flashminnen.

Volymproduktion riktad till mobiler, surfplattor och ultralätta datorer väntas komma igång under 2013. Då planerar Elpida ha nått gigabitkapacitet i 30 nanometersteknik.

Elpida utvecklar minneskretsarna tillsammans med japanska Nedo, Sharp, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology samt University of Tokyo.

Några konkurrerande alternativ är mram och racetrack-minnen som utvecklas av IBM, samt HP och Hynix som med memristorer arbetar på egna reram-lösningar.