Forskare har byggt en ny grafentransistor på höjden som motarbetar läckström med ett isolerande lager molybdendidsulfid. Bild: University of Manchester.

 Professorerna Andre Geim och Konstantin Novoselov vid University of Manchester i Storbritannien har tagit fram en ny grafenbaserad transistor som på allvar tros kunna ersätta kisel i våra kretsar.

Den elektriska ledningsförmågan i grafen är mycket högre än i kisel, men det innebär samtidigt att ström lätt läcker igenom en grafentransistor trots att den är i avstängt läge.

Med ett lager av molybdendidsulfid som isolator mellan två grafenlager har forskarna skapat en transistor som minskat läckströmmen med en faktor om tio. En kvantmekanisk effekt låter elektroner från grafenlagren vandra genom det isolerande lagret när tillräckligt mycket spänning tillförs.

- Chanserna för grafenbaserad elektronik har aldrig sett bättre ut än nu, säger professor Konstantin Novoselov.

Den nya transistorn kallas vertical field-effect tunneling transistor och spås ha en ljus framtid i alla möjliga elektroniksammanhang. Forskarnas arbete har publicerats i tidskriften Science.