Forskare har byggt minneskretsar med nanoprickar som är så snabba att dagens ramminnen får ställa sig i skamvrån.

 Forskare vid University of California, Berkeley i USA har tillsammans med kollegor från Taiwan tagit fram icke-flyktiga minneskretsar som är 10-100 gånger snabbare än dagens ram-minnen.

Nanoprick-minnet består av ett icke-ledande material där forskarna bäddar in nanoprickar av kisel med tre nanometers mellanrum. Varje nanoprick fungerar som en minnesbit och forskarna placerar därefter ett metallager ovanpå prickarna som då bildar en så kallad metal gate.

Transistorernas på och av-läge styrs med extremt korta pulser av grönt laserljus direkt ovanför varje nanoprick. Skriv- och raderingsoperationer sker på under en nanosekund vid sju volt. Tekniken sägs vara stabil och lovar lång livstid på den lagrade informationen.

Hur lasertekniken ska appliceras i faktiska minneskretsar är okänt, liksom hur mycket forskarnas minneskrets kan lagra och när vi kan vänta oss de första produkterna. Arbetet har publicerats i tidskriften Applied Physics Letters.