Halvledare som odlas på grafen väntas bli vardagsmat i framtida elektronik. Bild: Crayo Nano AS

 Vid Norwegian University of Science and Technology har en grupp forskare patenterat nanotrådar av galliumarsenid som kan odlas på grafen. Forskarnas hybridmaterial sägs erbjuda utmärkta optoelektroniska egenskaper och tekniken bakom det hela har nyligen beskrivits i tidskriften Nano Letters.

Den patenterade metoden handlar om att odla halvledarnanotrådar på atomtunna lager av grafen med hjälp av en teknik som kallas molecular beam epitaxy.

- Vi ser inte det här som en ny produkt. Det här är en mall för en ny produktionsmetod för halvledarenheter. Vi förväntar oss att solceller och ljusemitterande dioder står först i kön när framtida applikationer ska tas fram, säger professor Helge Weman som är en av forskarna bakom arbetet.

Metoden påstås vara enkel att införa i produktionsled hos kretstillverkare som IBM och Samsung. Enligt forskarna ska tekniken kunna ge billiga, energieffektiva och flexibla solceller. Den ska också öppna portarna för framtida självdrivande nanomaskiner och allmänt mer effektiv elektronik.

Någon tidsram för när tekniken kan dyka upp i faktiska produkter sägs dock inget om.