IM Flash Technologies är på gång med en ytterligare storleksminskning för nand-baserade flashminneskretsar. För omkring ett år sedan gick den Intel- och Micron-ägda tillverkaren över från 34 till 25 nanometers tillverkningsteknik. Inom några veckor planerar nu tillverkaren att genomföra nästa steg i utvecklingen. Detta genom att köra igång produktion av kretsar baserade på 20 nanometers tillverkningsteknik.
En minskning med fem nanometer gällande kretsledningarnas tjocklek kanske inte låter signifikant, men är i praktiken ett stort steg rent tekniskt. Som jämförelse kan nämnas att ett mänskligt hårstrå är cirka 3 000 gånger tjockare redan vid 25 nanometer.
Det finns idag också endast ett fåtal företag som har utvecklat sina tekniker och metoder tillräckligt långt för att ta steget ner till 20 nanometer. Detta enligt Kevin Kilbuck, marknadsstrateg på Microns NAND Product Group. ”När vi befann oss på 50 nanometer kunde i princip vem som helst slänga ihop en flashsdisk. Vid 20 nanometer är trenden den motsatta”, kommenterar han i ett utlåtande.
De utmaningar som möter tillverkarna när storleken reduceras är en ökning i antalet datafel, som orsakas av att elektroner tar sig igenom de allt tunnare kiselväggarna. För att motverka detta krävs bättre felkorrigering och extra nand-kretsar för att säkra dataintegritet via redundans.
Hur konkurrenterna kommer att svara mot de två företagens övergång till den nya tekniken, som öppnar för större lagringskapacitet på en given yta i flashdiskar, återstår att se.
