En HEMT-transistor i perspektiv. Bild: Andreas Alt/ETH Zurich

Ju snabbare elektronerna kan färdas genom ett halvledarmaterial desto bättre, både när det gäller informationshantering och energieffektivitet.

Nu har en grupp forskare vid ETH Zurich under ledning av professor Colombo Bolognesi nått nya rekordresultat, där en transistor som kombinerar aluminium, indium och nitrid i ett enda steg höjt brytfrekvensen från 104 till 144 gigahertz. Brytfrekvensen är det läge då energin i signalen börjar minska.

Enligt nyhetssajten Nanowerk har Bolognesis forskargrupp på laboratoriet dessutom nått banbrytande 200 gigahertz, något som dock ännu inte hunnit publiceras.

Så sent som förra året slog forskargruppen hastighetsrekord med sina high electron mobility- transistorer (hemt) byggda med aluminium, gallium och nitrid, då man nådde en brytfrekvens på 108 gigahertz. Motsvarande tekniker sades då endast klara omkring 28 gigahertz.

I praktiken kan detta leda till elektroniska enheter som dels förbrukar betydligt mindre ström än i dag, vilket i sin tur har en positiv inverkan på miljön. Colombo Bolognesi hävdar att 80 procent av effekten i mobila basstationer är värmespill, vilket drastiskt kan förbättras med dessa nya transistorer. Även mobiltelefoner kan gynnas i form av bättre batteritid. Det är ännu oklart hur lång tid det kan ta innan vi ser dessa transistorer i kommersiella produkter.