Grafen har en oerhört hög ledningsförmåga vilket gör att många försöker ta fram transistorer av materialet. Hittills har forskarna haft problem med detta eftersom grafen saknar möjligheten att enkelt stänga av elektronflödet.
Nu tror sig forskare vid Samsung ha löst problemet genom att använda en så kallar Schottky-barriär av kisel och grafen för att stoppa det elektriska flödet. Det innebär att grafen kan behålla sin höga ledningsförmåga.
Samsungs forskare kallar sin nya grafentransistor för barristor, det vill säga en kombination av orden barriär och transistor. I tidskriften Science nämner Samsung att de redan lyckats demonstrera grundläggande funktioner med tekniken.
Fortfarande måste Samsung lösa frågan om massproduktion i nanometerskala, vilket när det sker kan ge många fördelar till Samsungs mobila produkter. Men konkurrenter finns det gott om och några av de som också arbetar hårt på grafenbaserade lösningar är IBM och Intel.
