En av flera kommande minnestekniker som forskare experimenterar med är reram, resistive random-access memory för både arbetsminne och långtidslagring.
Nu har forskare vid University College London tagit fram en specialstruktur baserad på kiseloxid som utför själva motståndsväxlingen betydligt snabbare än vad som tidigare varit möjligt. I forskarnas struktur kan tunna fibrer av kiselatomer ta form inuti själva kiseloxiden. Det är närvaron eller avsaknaden av dessa som representerar en etta eller nolla.
- Våra reram-minneskretsar behöver endast en tusendel så mycket energi som ett vanligt flashminne för att fungera och är ungefär 100 gånger snabbare, säger dr Tony Kenyon vid UCL Electronic and Electrical Engineering.
Forskarnas lösning påstås dessutom vara den första någonsin att fungera utanför vakuum, något som gör den mer tålig och potentiellt även billigare att framställa.
När minnet kan börja massproduceras är oklart. Minnestillverkaren Elpida Memory har tidigare meddelat att de tänker börja sälja sina första Reram-minnen under 2013.
