IBM och Samsung utvecklar tillsammans nästa generation av mram (se faktaruta). Tanken är att erbjuda ett snabbt alternativ till vanligt flashminne av typen nand. Det är tänkt att användas i mobila enheter, sensorer och alla tänkbara typer av bärbara enheter, så kallade wearables.

De båda företagen använder en teknik som kallas spin-transfer torque (stt) för de nya kretsarna. De tillverkas med 11-nanometersteknik och använder bara 7,5 mikroampere ström. Det här ska leda till brutala prestanda, jämfört med flashminne av typen nand.

Läs också: HP:s nya superminne har dram och flashlagring på samma kretskort

Daniel Worledge är ansvarig för utveckling av mram på IBM Research. I ett mejl till IDG News berättar han att mram är 100 000 gånger snabbare på skrivning än nand-flash, med en tid på 10 nanosekunder. Läsning ska gå 10 000 gånger snabbare.

– Det här är viktigt eftersom det nu blir attraktivt att tillverka mram, jämfört med andra minnestyper. Det behövs mer forskning, men det är läge att sätta i gång, säger Daniel Worledge.

Mram av typen stt kan användas i tillämpningar som kräver extremt låg elförbrukning. När information skrivs används väldigt lite el och annars ingen alls eftersom information lagras beständigt. Tanken är inte att ersätta dram inom överskådlig framtid, däremot att ersätta flashminne. Mram är inte bara snabbare, utan saknar begränsningar vad gäller antalet läsningar och skrivningar.

– Flashminne i digitala kameror kan användas för ungefär 10 000 skrivningar innan det slits ut. Det räcker bra för att ta bilder, men sådant minne skulle bli utslitet på en sekund om det användes som arbetsminne, säger Daniel Worledge.

Läs också: Lagringskartan ritas om – gigantiskt skifte väntar

Ytterligare en fördel med mram är att data inte behöver raderas innan nya data skrivs, vilket ger enklare design.

IBMs förhoppning är att få i gång massproduktion av mram om tre år. Det ska göras tillsammans med en partner, kanske Samsung. Utvecklingen av mram beskrivs i det här blogginlägget.

Fakta

Mram står för Magnetoresistive Random-Access Memory. Det är ett halvledarminne som lagrar data med hjälp av magnetiskt spinn.